¿Te imaginas un mundo donde la inteligencia artificial maneje datos a la velocidad del rayo? Sandisk y SK Hynix han dado un gran paso en esa dirección al establecer un acuerdo estratégico para desarrollar una nueva tecnología de memoria que promete revolucionar el procesamiento de datos a gran escala. Este innovador proyecto se centra en la creación de la «Flash de Alta Ancho de Banda» (HBF), una alternativa basada en NAND que podría cambiar las reglas del juego frente a la memoria tradicional utilizada en las GPU de IA. Pero, ¿qué significa esto para el futuro de la tecnología?
Innovación en memoria: HBF y sus ventajas
La HBF se fundamenta en diseños de empaquetado similares a la memoria de alto ancho de banda (HBM), pero con un giro sorprendente: reemplaza parte de la pila de DRAM con memoria flash. Esto no solo reduce la latencia, sino que también amplía la capacidad de almacenamiento de manera impresionante. Según los expertos, HBF podría ofrecer entre ocho y dieciséis veces más almacenamiento que la HBM tradicional, sin que esto implique un incremento significativo en los costos. Este avance es vital para los gigantes de la nube que enfrentan retos en la gestión de modelos de IA cada vez más complejos.
Además, la capacidad de la memoria NAND para retener datos sin necesidad de estar constantemente conectada a una fuente de energía se traduce en un ahorro energético significativo. Y en un mundo donde la eficiencia energética es primordial—especialmente en entornos de IA con restricciones de energía y refrigeración—esta innovación podría ser la solución perfecta para los centros de datos a gran escala que lidian con problemas térmicos y presupuestarios.
Un paso hacia la eficiencia energética
La propuesta de HBF se alinea con un concepto de investigación denominado “LLM en un Flash”, que sugiere que los modelos de lenguaje a gran escala podrían operar de manera más eficiente al integrar unidades de estado sólido (SSD) como un nivel adicional. Al hacerlo, se podría aliviar la presión sobre la DRAM. La HBF fusiona esta idea en un solo paquete de alto ancho de banda, combinando la capacidad de almacenamiento de los SSD con la velocidad que requieren las aplicaciones de IA.
En la reciente Cumbre de Memoria Flash 2025, Sandisk mostró su prototipo de HBF, utilizando técnicas de unión de obleas y su tecnología patentada BiCS NAND. Se espera que los módulos de muestra lleguen al mercado en la segunda mitad de 2026, y el primer hardware de IA que utilice HBF se proyecta para principios de 2027. Aunque todavía no se han anunciado asociaciones concretas, la posición de SK Hynix como proveedor clave para grandes fabricantes de chips de IA, como Nvidia, podría acelerar la adopción de esta nueva tecnología.
Perspectivas del mercado y competencia
Este movimiento se produce en un contexto donde otros fabricantes también están explorando soluciones similares. Samsung, por ejemplo, ha presentado niveles de almacenamiento de IA respaldados por flash y sigue avanzando en el desarrollo de DRAM HBM4. Por otro lado, empresas como Nvidia continúan apostando por diseños que dependen en gran medida de la DRAM. Si el esfuerzo conjunto de Sandisk y SK Hynix resulta exitoso, podríamos estar ante el nacimiento de pilas de memoria heterogéneas donde DRAM, flash y otros tipos de almacenamiento coexistan, optimizando así el rendimiento y la eficiencia energética en el ámbito de la inteligencia artificial. ¿Estás listo para ver cómo evoluciona esta tecnología?
